在半導體與晶圓工藝升級進程中，退火工序是平復晶格瑕疵、釋放薄膜應力、優化器件電學性能與良率的關鍵環節。華測儀器針對晶圓熱處理需求，推出Huace-800G 真空晶圓退火爐，適用于高潔凈、高準度的半導體晶圓高溫熱處理場景打造。

該設備在高真空環境下對半導體晶圓進行準確高溫熱處理，隔絕氧化、污染與雜質附著，為工藝進程提供潔凈的工藝環境。整機采用紅外反射式加熱技術，熱效率高、熱響應快，溫度覆蓋RT~1250℃，升溫速率上限可達100℃/s，可滿足多元工藝需求。

設備搭載真空系統，可實現10^-3Pa~10^-6Pa真空度，全程隔絕空氣與有害雜質，減少晶圓表面污染與瑕疵。設備采用PID溫度控制，同時采用移相觸發技術確保試驗溫度，控溫精度達 ±1℃，實現晶圓級溫度均勻性，確保整片晶圓受熱一致、工藝重復性優異。

在適配性方面，設備標準兼容6英寸晶圓，同時支持150×150mm樣品，兼顧科研實驗與小批量量產需求。

憑借高性能真空、升降溫、高溫控精度與良好兼容性，Huace-800G 普遍應用于硅晶圓、半導體、電子材料、陶瓷材料等領域，可支撐離子注入退火、金屬硅化物形成、應力消除等工藝，是半導體器件研發、功率器件制造等材料的熱處理裝備。